Verschil tussen BJT en IGBT

BJT versus IGBT

BJT (Bipolar Junction Transistor) en IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) zijn twee soorten transistors die worden gebruikt om stromen te regelen. Beide apparaten hebben PN-knooppunten en verschillen in apparaatstructuur. Hoewel beide transistoren zijn, hebben ze aanzienlijke verschillen in kenmerken.

BJT (bipolaire junctie transistor)

BJT is een type transistor die bestaat uit twee PN-juncties (een knooppunt gemaakt door een p-type halfgeleider en een n-type halfgeleider aan te sluiten). Deze twee knooppunten worden gevormd door het verbinden van drie halfgeleideronderdelen in de volgorde van P-N-P of N-P-N. Daarom zijn er twee typen BJT's beschikbaar, bekend als PNP en NPN.

Drie elektroden zijn verbonden met deze drie halfgeleidende delen en de middelste draad wordt 'basis' genoemd. Andere twee knooppunten zijn 'emitter' en 'collector'.

In BJT, grote collector-emitter (I_c) stroom wordt geregeld door de kleine basisemitterstroom (I._B) en deze eigenschap wordt gebruikt om versterkers of schakelaars te ontwerpen. Daarom kan het worden beschouwd als een stroomgestuurd apparaat. BJT wordt meestal gebruikt in versterkerschakelingen.

IGBT (geïsoleerde poort bipolaire transistor)

IGBT is een halfgeleiderapparaat met drie terminals die bekend staan ​​als 'Emitter', 'Collector' en 'Gate'. Het is een soort transistor die een hogere hoeveelheid stroom aankan en een hogere schakelsnelheid heeft waardoor hij zeer efficiënt is. IGBT is in de jaren tachtig op de markt geïntroduceerd.

IGBT heeft de gecombineerde kenmerken van zowel MOSFET als bipolaire junctie-transistor (BJT). Het is gate-driven zoals MOSFET en heeft actuele spanningskarakteristieken zoals BJT's. Daarom heeft het de voordelen van zowel een hoge stroomafhandelingscapaciteit als een gemakkelijke bediening. IGBT-modules (bestaande uit een aantal apparaten) verwerken kilowatts aan vermogen.